(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ZVN4310G
Изображение служит лишь для справки
ZVN4310G
-
Zetex
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 1.67A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 390000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Non-Compliant
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：ZVN4310G
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Diodes Incorporated
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：DIODES INC
- Ранг риска：5.12
- Код упаковки компонента：SOT-223
- Максимальный ток утечки (ID)：1.67 A
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.67 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.54 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：12 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：3 W
Со склада 390000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
