(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ISL9N302AP3
Изображение служит лишь для справки
ISL9N302AP3
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
Date Sheet
Lagernummer 30000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220-3
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：345W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：UltraFET™
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.5mOhm @ 75A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：11000 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：300 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 30000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
