Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AUIRFS8403TRR
Изображение служит лишь для справки






AUIRFS8403TRR
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 820
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:D2PAK
- Количество в упаковке:800
- Количество элементов:1
- РХОС:Compliant
- Время отключения:26 ns
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:123A (Tc)
- Mfr:International Rectifier
- Максимальная мощность рассеяния:99W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
- Максимальная рабочая температура:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная потеря мощности:99 W
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1
- Распад мощности:99 W
- Время задержки включения:10 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3.3mOhm @ 70A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.9V @ 100µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3183 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:93 nC @ 10 V
- Время подъема:77 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):40 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):123 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20 V
- Напряжение пробоя стока к истоку:40 V
- Максимальная температура перехода (Тj):175 °C
- Характеристика ТРП:-
- Сопротивление стока к истоку:2.6 mΩ
- Допирная сопротивление:3.3 mΩ
- Высота:5.084 mm
- Корпусировка на излучение:No
- Без свинца:Lead Free
Со склада 820
Итого $0.00000