Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 2457

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Монтаж:Chassis Mount
  • Вид крепления:Chassis Mount
  • Корпус / Кейс:244-04
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество контактов:4
  • Поставщик упаковки устройства:244-04, STYLE 1
  • Количество терминалов:4
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:33 V
  • РХОС:Compliant
  • Пакетная партия производителя:10
  • Производитель:MACOM
  • Бренд:MACOM
  • Пакет:Tray
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):2.2A
  • Mfr:MACOM Technology Solutions
  • Состояние продукта:Active
  • Описание пакета:POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
  • Форма упаковки:POST/STUD MOUNT
  • Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
  • Код упаковки производителя:CASE 244-04
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:MRF323
  • Форма упаковки:ROUND
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS INC
  • Ранг риска:5.13
  • Рабочая температура:-
  • Серия:-
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
  • Подкатегория:Transistors
  • Максимальная потеря мощности:20 W
  • Технология:Si
  • Положение терминала:RADIAL
  • Форма вывода:FLAT
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:4
  • Код JESD-30:O-CRPM-F4
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Мощность - Макс:20W
  • Применение транзистора:AMPLIFIER
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип продукта:RF Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):33 V
  • Максимальный ток сбора:2.2 A
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 1A, 5V
  • Увеличение:11 dB
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):33V
  • Частота - Переход:-
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):60 V
  • Максимальная потеря мощности (абс.):55 W
  • Максимальный ток коллектора (IC):2.2 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):20
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:33 V
  • Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
  • Сопротивление базы-эмиттора макс:24 pF
  • Шумовая фигура (дБ тип @ ф):-
  • Категория продукта:RF Bipolar Transistors

Со склада 2457

Итого $0.00000