(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE98
-
NTE Electronics, Inc.
-
Дискретные полупроводниковые
- TO-204AA, TO-3
- Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
Date Sheet
Lagernummer 1
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-204AA, TO-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-3
- Вес：72.574779 g
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Артикул Производителя：NTE98
- Производитель：NTE Electronics
- Эмиттер-основное напряжение：8(V)
- Классификация Температурной Выносливости：Military
- Формат упаковки：TO-3
- Диапазон рабочей температуры：-65C to 200C
- Коллекторный ток (постоянный)：20(A)
- Количество элементов：1
- Квантовозащитный：No
- Максимальный ток отсечки коллектора：250
- Монтаж：Through Hole
- Диэлектрический пробой напряжение：500 V
- Номинальное напряжение (постоянное)：500 V
- РХОС：Compliant
- Пакет：Bag
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：20 A
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Форма упаковки：ROUND
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：1.72
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：Other Transistors
- Максимальная потеря мощности：175 W
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：20 A
- Число контактов：2 +Tab
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：NPN
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：175(W)
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Мощность - Макс：175 W
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：500 V
- Максимальный ток сбора：20 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 5A, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：250µA
- Код JEDEC-95：TO-3
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3.5V @ 2A, 20A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：500 V
- Частота - Переход：-
- Максимальная потеря мощности (абс.)：175 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：8 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：20 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：500 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：175 W
- Ширина：76.2 mm
- Высота：8.89 mm
- Длина：88.9 mm
- Диаметр：22.2 mm
- REACH SVHC：No SVHC
Со склада 1
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
