(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTA114ESATP
Изображение служит лишь для справки
DTA114ESATP
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-72 Formed Leads
- TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Date Sheet
Lagernummer 169324
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：SC-72 Formed Leads
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：30
- Пакетирование：Tape & Box (TB)
- Опубликовано：2007
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Завершение：Through Hole
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Дополнительная Характеристика：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
- Максимальная потеря мощности：300mW
- Моментальный ток：-50mA
- Основной номер части：DTA114
- Число контактов：3
- Направленность：PNP
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：300mW
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：50mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Частота перехода：250MHz
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：10 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 169324
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
