(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1104MFV,L3F(CT
Изображение служит лишь для справки
RN1104MFV,L3F(CT
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Date Sheet
Lagernummer 116
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-723
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：150mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- База (R1)：47 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 k Ω
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 116
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
