Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные BCR192WH6327XTSA1

Изображение служит лишь для справки






BCR192WH6327XTSA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Date Sheet
Lagernummer 443
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:26 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SC-70, SOT-323
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:70
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-65°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14
- Максимальная потеря мощности:250mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Основной номер части:BCR192
- Направленность:PNP
- Конфигурация элемента:Single
- Применение транзистора:SWITCHING
- Без галогенов:Halogen Free
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):300mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:70 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 10mA
- Частота перехода:200MHz
- Частота - Переход:200MHz
- База (R1):22 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 443
Итого $0.00000