Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные MMUN2235LT1G

Изображение служит лишь для справки






MMUN2235LT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 5000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:80
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2013
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности:246mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Направленность:NPN
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс:246mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Без галогенов:Halogen Free
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):250mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:80 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
- База (R1):2.2 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 5000
Итого $0.00000