BCR512E6327HTSA1

Name: Infineon Technologies BCR512E6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (14 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA T/R
Date Sheet

Lagernummer 48000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：26 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：60
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2002
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：330mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：500mA
Основной номер части：BCR512
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：330mW
Применение транзистора：SWITCHING
Без галогенов：Not Halogen Free
Продуктивность полосы частот：100MHz
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：60 @ 50mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 2.5mA, 50mA
Частота перехода：100MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
База (R1)：4.7 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)：4.7 k Ω
Высота：1.1mm
Длина：2.9mm
Ширина：1.3mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 48000

Итого $0.00000