(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные BCR08PNB6327XT
Изображение служит лишь для справки
BCR08PNB6327XT
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
Date Sheet
Lagernummer 326
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Количество контактов：6
- Поставщик упаковки устройства：PG-SOT363-6
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：250mW
- Основной номер части：BCR08PN
- Направленность：NPN, PNP
- Мощность - Макс：250mW
- Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 5mA 5V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：170MHz
- База (R1)：2.2kOhms
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47kOhms
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 326
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
