Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные EMA6DXV5T1

Изображение служит лишь для справки






EMA6DXV5T1
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-553
- Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
Date Sheet
Lagernummer 133
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-553
- Количество контактов:5
- Диэлектрический пробой напряжение:50V
- Количество элементов:2
- Минимальная частота работы в герцах:160
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2009
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-50V
- Максимальная потеря мощности:230mW
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:-100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:MA6
- Число контактов:5
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Направленность:PNP
- Конфигурация:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Распад мощности:230mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):250mV
- Максимальный ток сбора:100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:160 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
- Максимальное напряжение разрушения:50V
- База (R1):47k Ω
- Прямоходящий ток коллектора:100mA
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 133
Итого $0.00000