(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные NSBA123EDXV6T1
Изображение служит лишь для справки
NSBA123EDXV6T1
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Минимальная частота работы в герцах：8
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2009
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
- Максимальная потеря мощности：500mW
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Моментальный ток：-100mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：NSBA1*
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：PNP
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：357mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：8 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 5mA, 10mA
- База (R1)：2.2k Ω
- Прямоходящий ток коллектора：-100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：2.2k Ω
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
