(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные PBLS4005V,115
Изображение служит лишь для справки
PBLS4005V,115
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
Date Sheet
Lagernummer 11164
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA 500mA
- Количество элементов：2
- Рабочая температура (макс.)：150°C
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2009
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：PBLS4005
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс：300mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN AND PNP
- Тип транзистора：1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA 5V / 150 @ 100mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V 40V
- Частота перехода：300MHz
- Частота - Переход：300MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.3W
- База (R1)：47k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 11164
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
