(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные RN4985FE,LF(CT
Изображение служит лишь для справки
RN4985FE,LF(CT
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER
Date Sheet
Lagernummer 4415
- 1+： $0.14444
- 10+： $0.13627
- 100+： $0.12855
- 500+： $0.12128
- 1000+： $0.11441
Zwischensummenbetrag $0.14444
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Мощность - Макс：100mW
- Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：250MHz 200MHz
- База (R1)：2.2k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 4415
- 1+： $0.14444
- 10+： $0.13627
- 100+： $0.12855
- 500+： $0.12128
- 1000+： $0.11441
Итого $0.14444
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
