Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные PRMD10Z

Изображение служит лишь для справки






PRMD10Z
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-XFDFN Exposed Pad
- PRMD10 - 50 V, 100 mA NPN/PNP Resistor-Equipped double Transistors (RET)
Date Sheet
Lagernummer 161
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-XFDFN Exposed Pad
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Мощность - Макс:480mW
- Тип транзистора:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 10mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:100mV @ 250μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:230MHz
- База (R1):2.2k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 161
Итого $0.00000