UMG11NTR

Name: ROHM Semiconductor UMG11NTR
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.6 (19 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Date Sheet

Lagernummer 551

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：13 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Количество контактов：5
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：80
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e2
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN COPPER
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-50°C
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：*MG11
Число контактов：5
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Dual
Распад мощности：300mW
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода：250MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：250MHz
База (R1)：2.2k Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：47k Ω
Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 551

Итого $0.00000