(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SUD50N04-8M8P-4GE3-VB
Изображение служит лишь для справки
SUD50N04-8M8P-4GE3-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 40V 85A 3.13W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：40V
- Power Dissipation (Pd)：3.13W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：250pF@20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：2.38nF@20V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：80nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃
- Тип：1 N-channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
