(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF343
Изображение служит лишь для справки
IRF343
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 350V 8A 800mΩ@5A,10V 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-3 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 23
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：350V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：800mΩ@5A,10V
- Power Dissipation (Pd)：125W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：1.6nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：60nC@10V
- Пакет：Bag-packed
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 N-channel
Со склада 23
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
