(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDN338P
Изображение служит лишь для справки
FDN338P
-
MSKSEMI
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 20V 2A 85mΩ@4.5V 1.56W 1.3V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：20V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@4.5V
- Power Dissipation (Pd)：1.56W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1.3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：25pF@10V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：180pF@10V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：3nC@4.5V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃
- Тип：1 Piece P-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
