Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MTP12P10-VB
Изображение служит лишь для справки






MTP12P10-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 127mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС:true
- Drain Source Voltage (Vdss):100V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):127mΩ@10V
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):4V
- Пакет:Tube-packed
- Тип:1 N-channel
Со склада 0
Итого $0.00000