(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSZ097N04LS G-VB
Изображение служит лишь для справки
BSZ097N04LS G-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 40V 19.3A 3.7W 2.2V@250uA 1 N-channel QFN8(3X3) MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 48000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：40V
- Power Dissipation (Pd)：3.7W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2.2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：66pF@20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：1.33nF@20V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：9.8nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃
- Тип：1 N-channel
Со склада 48000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
