Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQM120N10-09-GE3-VB
Изображение служит лишь для справки






SQM120N10-09-GE3-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 140A 0.004Ω@10V,30A 3.75W 2V@250uA TO-263 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 48000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС:true
- Drain Source Voltage (Vdss):100V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):0.004Ω@10V,30A
- Power Dissipation (Pd):3.75W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):280pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds):5.5nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):160nC@10V
- Пакет:Tube-packed
- Рабочая температура:-55℃~+175℃
Со склада 48000
Итого $0.00000