Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTD20P06LT4G-VB
Изображение служит лишь для справки






NTD20P06LT4G-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 60V 30A 34W 2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС:true
- Drain Source Voltage (Vdss):60V
- Power Dissipation (Pd):34W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):100pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds):1nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):10nC@10V
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:-55℃~+175℃@(Tj)
- Тип:1 Piece P-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000