(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDD8424H-VB
Изображение служит лишь для справки
FDD8424H-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 40V 50A 108W 0.014Ω@10V,38A 1V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel TO-252-4L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 48000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：40V
- Power Dissipation (Pd)：108W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：0.014Ω@10V,38A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：136pF
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：2248pF@20V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：310nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+175℃
- Тип：1 N-Channel + 1 P-Channel
Со склада 48000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
