(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MMDF3N03HDR2G-VB
Изображение служит лишь для справки
MMDF3N03HDR2G-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 30V 6.8A 1.78W 0.022Ω@10V,6.8A 2.5V@250uA SOP-8 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：30V
- Power Dissipation (Pd)：1.78W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：0.022Ω@10V,6.8A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：55pF@15V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：586pF@15V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：5.6nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
