Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDS6673BZ-NL-VB
Изображение служит лишь для справки






FDS6673BZ-NL-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 30V 13.5A 2.7W 1.4V@250uA 1 Piece P-Channel SOP8 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС:true
- Drain Source Voltage (Vdss):30V
- Power Dissipation (Pd):2.7W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):1.4V@250uA
- Input Capacitance (Ciss@Vds):2.55nF@15V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):29.5nC@4.5V
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Тип:1 Piece P-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000