(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI2336DS-T1-GE3-VB
Изображение служит лишь для справки
SI2336DS-T1-GE3-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 30V 6.5A 1.1W 1.1V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 48000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：30V
- Power Dissipation (Pd)：1.1W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：17pF@15V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：335pF@15V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：2.1nC@4.5V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 N-channel
Со склада 48000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
