(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SI7742DP-T1-GE3-VB
Изображение служит лишь для справки
SI7742DP-T1-GE3-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 30V 21A 35W 0.003Ω@10V,32A 2.5V@250uA 1 N-channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：30V
- Power Dissipation (Pd)：35W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：0.003Ω@10V,32A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：970pF@15V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：3.2nF@15V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：71nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+175℃
- Тип：1 N-channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
