(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные HY3010B
Изображение служит лишь для справки
HY3010B
-
HUAYI
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 100A 10mΩ@10V,50A 192W 3V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 50000
- 1+： $0.40393
- 10+： $0.38107
- 100+： $0.35950
- 500+： $0.33915
- 1000+： $0.31995
Zwischensummenbetrag $0.40393
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：100V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,50A
- Power Dissipation (Pd)：192W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：260pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：3.1nF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：76nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Тип：1 N-channel
Со склада 50000
- 1+： $0.40393
- 10+： $0.38107
- 100+： $0.35950
- 500+： $0.33915
- 1000+： $0.31995
Итого $0.40393
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
