(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB120N04S4-02-VB
Изображение служит лишь для справки
IPB120N04S4-02-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 40V 150A 200W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：40V
- Power Dissipation (Pd)：200W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：450pF@20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：9000pF@20V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：120nC@10V
- Пакет：Tube-packed
- Рабочая температура：-55℃~+150℃
- Тип：1 N-channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
