Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISA24DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки






SISA24DN-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 33W
Date Sheet
Lagernummer 708
- 1+: $2.31462
- 10+: $2.18360
- 100+: $2.06000
- 500+: $1.94340
- 1000+: $1.83340
Zwischensummenbetrag $2.31462
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:25V
- Drain current:60A
- Pulsed drain current:150A
- Case:PowerPAK® 1212-8
- Gate-source voltage:-16...20V
- Монтаж:SMD
- Kind of package1:tape
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 708
- 1+: $2.31462
- 10+: $2.18360
- 100+: $2.06000
- 500+: $1.94340
- 1000+: $1.83340
Итого $2.31462