Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIS780DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки






SIS780DN-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 18A
Date Sheet
Lagernummer 6630
- 1+: $0.81431
- 10+: $0.76821
- 100+: $0.72473
- 500+: $0.68371
- 1000+: $0.64501
Zwischensummenbetrag $0.81431
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET + Schottky
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:30V
- Drain current:18A
- Pulsed drain current:50A
- Case:PowerPAK® 1212-8
- Gate-source voltage:±20V
- Монтаж:SMD
- Kind of package1:tape
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 6630
- 1+: $0.81431
- 10+: $0.76821
- 100+: $0.72473
- 500+: $0.68371
- 1000+: $0.64501
Итого $0.81431