(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIRC10DP-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIRC10DP-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A
Date Sheet
Lagernummer 3672
- 1+： $0.48550
- 10+： $0.45802
- 100+： $0.43210
- 500+： $0.40764
- 1000+： $0.38456
Zwischensummenbetrag $0.48550
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET + Schottky
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：30V
- Drain current：60A
- Pulsed drain current：150A
- Case：PowerPAK® SO8
- Gate-source voltage：-16...20V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 3672
- 1+： $0.48550
- 10+： $0.45802
- 100+： $0.43210
- 500+： $0.40764
- 1000+： $0.38456
Итого $0.48550
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
