(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB33N60EF-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB33N60EF-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W
Date Sheet
Lagernummer 50
- 1+： $2.31294
- 10+： $2.18202
- 100+： $2.05851
- 500+： $1.94199
- 1000+： $1.83207
Zwischensummenbetrag $2.31294
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：600V
- Drain current：21A
- Pulsed drain current：100A
- Case1：TO263
- Case：D2PAK
- Gate-source voltage：±30V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 50
- 1+： $2.31294
- 10+： $2.18202
- 100+： $2.05851
- 500+： $1.94199
- 1000+： $1.83207
Итого $2.31294
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
