(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB22N60AE-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB22N60AE-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W
Date Sheet
Lagernummer 993
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：600V
- Drain current：51A
- Pulsed drain current：268A
- Case1：TO263
- Case：D2PAK
- Gate-source voltage：±30V
- Монтаж：SMD
- Kind of package：tube
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 993
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
