(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB125N60EF-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB125N60EF-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W
Date Sheet
Lagernummer 10000
- 1+： $3.96217
- 10+： $3.73790
- 100+： $3.52632
- 500+： $3.32671
- 1000+： $3.13841
Zwischensummenbetrag $3.96217
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：600V
- Drain current：16A
- Pulsed drain current：66A
- Case1：TO263
- Case：D2PAK
- Gate-source voltage：±30V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 10000
- 1+： $3.96217
- 10+： $3.73790
- 100+： $3.52632
- 500+： $3.32671
- 1000+： $3.13841
Итого $3.96217
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
