(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB17N80E-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB17N80E-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W
Date Sheet
Lagernummer 4520
- 1+： $3.44111
- 10+： $3.24633
- 100+： $3.06258
- 500+： $2.88923
- 1000+： $2.72568
Zwischensummenbetrag $3.44111
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：800V
- Drain current：10A
- Pulsed drain current：45A
- Case1：TO263
- Case：D2PAK
- Gate-source voltage：±30V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 4520
- 1+： $3.44111
- 10+： $3.24633
- 100+： $3.06258
- 500+： $2.88923
- 1000+： $2.72568
Итого $3.44111
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
