(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIRA58DP-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIRA58DP-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 87.3A; Idm: 150A
Date Sheet
Lagernummer 36520
- 1+： $0.66661
- 10+： $0.62888
- 100+： $0.59328
- 500+： $0.55970
- 1000+： $0.52802
Zwischensummenbetrag $0.66661
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：40V
- Drain current：87.3A
- Pulsed drain current：150A
- Case：PowerPAK® SO8
- Gate-source voltage：-16...20V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 36520
- 1+： $0.66661
- 10+： $0.62888
- 100+： $0.59328
- 500+： $0.55970
- 1000+： $0.52802
Итого $0.66661
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
