Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISS46DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки






SISS46DN-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 36.2A; Idm: 100A
Date Sheet
Lagernummer 4000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:100V
- Drain current:36.2A
- Pulsed drain current:100A
- Case:PowerPAK® 1212-8
- Gate-source voltage:±20V
- Монтаж:SMD
- Kind of package1:tape
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 4000
Итого $0.00000