(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHU6N80AE-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHU6N80AE-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Date Sheet
Lagernummer 13301252
- 1+： $0.88592
- 10+： $0.83577
- 100+： $0.78846
- 500+： $0.74383
- 1000+： $0.70173
Zwischensummenbetrag $0.88592
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：800V
- Drain current：3.2A
- Pulsed drain current：10A
- Case1：TO251
- Case：IPAK
- Gate-source voltage：±30V
- Монтаж：THT
- Kind of package：tube
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 13301252
- 1+： $0.88592
- 10+： $0.83577
- 100+： $0.78846
- 500+： $0.74383
- 1000+： $0.70173
Итого $0.88592
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
