Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHP100N60E-GE3
Изображение служит лишь для справки






SIHP100N60E-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Date Sheet
Lagernummer 4000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:600V
- Drain current:19A
- Pulsed drain current:73A
- Case:TO220AB
- Gate-source voltage:±30V
- Монтаж:THT
- Kind of package:tube
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 4000
Итого $0.00000