(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHG17N80E-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHG17N80E-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO247AC
Date Sheet
Lagernummer 33
- 1+： $1.31918
- 10+： $1.24451
- 100+： $1.17407
- 500+： $1.10761
- 1000+： $1.04491
Zwischensummenbetrag $1.31918
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：800V
- Drain current：10A
- Pulsed drain current：45A
- Case：TO247AC
- Gate-source voltage：±30V
- Монтаж：THT
- Kind of package：tube
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 33
- 1+： $1.31918
- 10+： $1.24451
- 100+： $1.17407
- 500+： $1.10761
- 1000+： $1.04491
Итого $1.31918
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
