Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFBE30LPBF
Изображение служит лишь для справки






IRFBE30LPBF
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Date Sheet
Lagernummer 1000
- 1+: $2.91660
- 10+: $2.75151
- 100+: $2.59576
- 500+: $2.44883
- 1000+: $2.31022
Zwischensummenbetrag $2.91660
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:800V
- Drain current:4.1A
- Pulsed drain current:16A
- Case1:TO262
- Case:I2PAK
- Gate-source voltage:±20V
- Монтаж:THT
- Kind of package:tube
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 1000
- 1+: $2.91660
- 10+: $2.75151
- 100+: $2.59576
- 500+: $2.44883
- 1000+: $2.31022
Итого $2.91660