(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные JCS4N65RE
Изображение служит лишь для справки
JCS4N65RE
-
Jilin Sino-Microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 650V 4A 1.9Ω@10V,2A 176W 4V@250uA 1 N-Channel DPAK MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 9
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：650V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：1.9Ω@10V,2A
- Power Dissipation (Pd)：176W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：2.2pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：540pF@25V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：11.9nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 9
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
