(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RU205B-VB
Изображение служит лишь для справки
RU205B-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 20V 6A 28mΩ@4.5V,5A 2.1W 1V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 38
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：20V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@4.5V,5A
- Power Dissipation (Pd)：2.1W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：55pF@10V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：865pF@10V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：8.8nC@4.5V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 N-Channel
Со склада 38
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
