(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные GE3401-VB
Изображение служит лишь для справки
GE3401-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 30V 5.6A 46mΩ@10V,4.4A 2.5W 2V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 48000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：30V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：46mΩ@10V,4.4A
- Power Dissipation (Pd)：2.5W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：130pF@15V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：1.295nF@15V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：24nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃@(Tj)
- Тип：1 Piece P-Channel
Со склада 48000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
