(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные CS1N60A3H
Изображение служит лишь для справки
CS1N60A3H
-
Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 600V 800mA 25W 15Ω@10V,400mA 4V@250uA 1 N-Channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：600V
- Power Dissipation (Pd)：25W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：15Ω@10V,400mA
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：4V@250uA
- Пакет：Tube-packed
- Тип：1 N-Channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
