(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SPD50P03LGXT
Изображение служит лишь для справки
SPD50P03LGXT
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- MOSFET P-Ch -30V 50A DPAK-4 OptiMOS P
Date Sheet
Lagernummer 555
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：50A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：150W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：OptiMOS®-P
- Опубликовано：2005
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
- Количество выводов：4
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код JESD-30：R-PSSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7m Ω @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6880pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：126nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.007Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：200A
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 555
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
