Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-247-3
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:11A Tc
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
  • Количество элементов:1
  • Максимальная мощность рассеяния:180W Tc
  • Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
  • Пакетирование:Tube
  • Серия:POWER MOS IV®
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:3
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSFM-G3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:650m Ω @ 5.5A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 1mA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:950pF @ 25V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:55nC @ 10V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):400V
  • Угол настройки (макс.):±30V
  • Максимальный сливовой ток (ID):11A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.65Ohm
  • Максимальный импульсный ток вывода:44A
  • Минимальная напряжённость разрушения:400V
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):115 pF
  • Время выключения максимальное (toff):75ns
  • Время включения максимальный (тон):52ns

Со склада 0

Итого $0.00000